Dec 19, 2018 Deixe um recado

Centrar-se sobre as tendências do setor e promover o desenvolvimento da tecnologia de carboneto de silício

Centrar-se sobre as tendências do setor e promover o desenvolvimento da tecnologia de carboneto de silício

Como a direção da tecnologia de núcleo de semicondutores de potência de última geração, a principal vantagem de SiC (carboneto de silício) comparado com módulos IGBT tradicionais é que a perda de comutação é muito reduzida. Mitsubishi Electric iniciou a investigação sobre esta tecnologia tão cedo como 1994. Depois de 24 anos, a Mitsubishi Electric desenvolveu com sucesso a primeira e segunda geração de carboneto de silício chips e alcançado a produção em massa. Além disso, disse Dr. Gourab Majumdar, "Mitsubishi Electric está tentando converter para a terceira geração."

Por que é o compromisso de Mitsubishi Electric para o R&D e o produto de armazenamento para SiC tecnologia? Dr.GourabMajumdar fez uma interpretação técnica. Comparado com silício monocristalino, carboneto de silício tem resistência de alta temperatura (a temperatura máxima de silício de cristal único é 170 ° C, enquanto o carboneto de silício pode suportar 200 ° C), baixo (em comparação com o silício de cristal único, de consumo de energia Redução do consumo de 70%), aplicações de alta confiabilidade e outras vantagens. Como um componente de poder com sua própria função de poupança de energia, carboneto de silício naturalmente tem vantagens e pode abrir novos mercados. De acordo com relatos, linha de produção de carboneto de silício de 6 polegadas de Mitsubishi Electric está localizada em Kumamoto, Kyushu, Japão e é programada para ser produzido em massa em 2019.

Neste momento, estão expandindo os campos de aplicação dos dispositivos do inversor com base em dispositivos de alimentação de carboneto de silício. Apesar do fator de custo, a penetração no mercado de dispositivos de poder de carboneto de silício é muito baixa, mas com o avanço da tecnologia, o custo de carboneto de silício vai cair rapidamente, e ele se tornará o produto dominante no mercado de semicondutores de potência na futura.

Para as perspectivas de aplicação de dispositivos de poder de carboneto de silício, Dr. Gourab Majumdar admite, "neste momento, o mercado é no período de transição de monocrystalline do silicone ao silicone carboneto. Estamos muito ansiosos para este mercado cada vez mais maduro, e Mitsubishi Electric também será neste campo. Mais desempenho, fornecendo mais abundantes e melhores produtos aos clientes."


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